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首頁進口晶振有源晶振,京瓷晶振,KC2520B-C1-C2晶振,貼片晶振

有源晶振,京瓷晶振,KC2520B-C1-C2晶振,貼片晶振

編號：38519391
頻率：1.5~125.0MHZ
尺寸：2.5*2.0mm

KC2016B-C1振蕩器,小體積有源晶振,京瓷石英晶振,有源晶振是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15A以下,編...

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貼片晶振,京瓷晶振,KC2016B-C1振蕩器,京瓷石英晶振,有源晶振是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.貼片有源石英晶振是指在普通無源晶體上增加了電壓,內部集成了相應IC與電容電阻,需要在凈化萬級車間生產,并且在密封機器設備中焊接加蓋,內部封裝模式是指在真空封裝區(qū)域內進行封裝.

晶振參數	單位	晶振KC2520B-C1	晶振需求標準
標準頻率范圍	f_nom	1.5~125.0MHZ	請確定你所需要的頻率,聯系我們代理商
電源電壓	Vcc	1.6~3.63V
儲存溫度	T_stg	-55°C ~ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C ~ +70°C
激勵功率	DL	10μW	如你有最大激勵功率為10μW 的需求,請聯系我們.
精度	f_— l	±15×10^-6	如有需要更高的精度可以特定.
拐點溫度	Ti	+25°C ±3°C
負載電容	CL	15pF	可指定
頻率老化	f_age	±5×10^-6	±25±3°C, 第一年

京瓷在成立初始,只是一個缺乏資金、信用、業(yè)績的小街道工廠.可以依靠的只是僅有的技術和相互信任的伙伴.為了公司的發(fā)展,大家都竭盡全力,經營者也用畢生的努力回報大家的信賴,堅信工作伙伴決不是為了私利私欲,所有員工都真心地慶幸自己能夠在這個公司工作,人人都希望公司不斷發(fā)展,這就是京瓷的經營.雖然常言人心易變,但同時也再沒有比它更堅不可摧的.以這樣牢固的心與心的連接為基礎的經營,就是京瓷的原點.

石英晶體共振子應用在并聯振蕩線路上, 振蕩頻率與負載電容CL有很大的關系. 這在前面的公式(3)就可以看到. 圖是以并聯振蕩線路上FL頻率對負載電容CL的變化曲線示意圖. 頻率的“牽引率”指的是負載電容CL1的頻率FL1到負載電容CL2的頻率FL2的頻率變化. 在圖中可以是FL1(CL=24pF)與FL2(CL=10pF)的頻率變化值. 在這個例子中的頻率牽引率是 220 ppm. 若我們將CL1與CL2的負載電容值趨近極小化(曲線作數學上的微分), 就會得到曲線的切線值. 這個切線值就是用某一個負載電容的敏感度( trim sensitivity ).

在圖中, CL=24 pF 時的頻率敏感度是10 ppm/pF, 及CL=10 pF時的頻率敏感度是20 ppm/pF. 在并聯線路中, 負載電容越小, 頻率對負載電容變化的敏感度越高. 相反的, 負載電容越大, 頻率對負載電容變化的敏感度越低. 這就是石英晶體共振子用于VCXO線路上時, 線路設計上會選用較小負載電容. 反之, 在要求較準確的頻率信號時, 線路設計上會選用較高的負載電容.

京瓷集團設定了節(jié)能、省電等環(huán)保活動的重點實施期間,為提升員工的環(huán)境意識,以及加強在工廠、事業(yè)所的環(huán)保活動而努力.日本國內,為了強化夏季的節(jié)能與節(jié)電措施,在6月到9月的4個月期間,實施了“夏季環(huán)保挑戰(zhàn)”的活動,開展了綠色簾幕攝影大賽,并邀請員工子女,實施了環(huán)保教育巡回講座等活動.此外,在海外也積極參加了地區(qū)環(huán)保活動等各種各樣的活動.

1992年,針對排氣、排水、土壤、地下水等,京瓷集團制定了比法律和政府規(guī)定還要嚴格的《京瓷集團環(huán)境管理標準》.而且,以該環(huán)境管理標準為基礎,在各網點設定了更為嚴格的自主管理標準,定期實施環(huán)境測量,貫徹環(huán)境管理.此外,出于防止土壤污染的考慮,制定了《土壤、地下水管理規(guī)程》,通過采用雙重結構的地下罐儲藏點、引進泄漏檢測系統等,致力于及時發(fā)現泄漏、防止污染擴大.

為確認環(huán)境管理系統是否根據ISO14001標準得到了合理運用,京瓷集團定期實施內部監(jiān)督,及時對環(huán)境管理系統加以糾正和改善.

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